Memória RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB/ DDR5/ 5600MHz/ 1.1V/ CL46/ SODIMM

Descrição

A memória DDR da Samsung oferece o desempenho, a capacidade e a confiabilidade necessários para alimentar diversos ambientes informáticos. Desde os exigentes requisitos térmicos e de durabilidade dos sistemas industriais até às rigorosas exigências de desempenho das infra-estruturas empresariais, as nossas soluções são concebidas para cumprir as normas mais rigorosas do sector. A família DDR permite um processamento de dados fluido, um funcionamento confiável e configurações escalável que mantêm um desempenho estável à medida que as cargas de trabalho aumentam rapidamente.

A memória DDR5 da Samsung oferece velocidades por pin de até 8000 Mbps e suporta densidades de até 32 Gb, o que garante maior integridade do sinal e funcionamento estável graças à correção de erros (ECC) integrada. Compilamento baseado em TSV e uma arquitetura de dupla subcanal de 32 bits, está otimizada para serviços em nuvem com uso intensivo de dados, computação de alto desempenho e cargas de trabalho empresariais em grande escala.

DIMM de perfil pequeno

A Samsung SODIMM oferece um formato compacto e de tamanho reduzido, projetado para portáteis, mini-PC e sistemas embebidos onde o espaço na placa é limitado. Graças à sua sinalização eficiente e às suas configurações flexíveis de faixa simples ou dupla, o SODIMM proporciona um desempenho de memória estável em designs com espaço reduzido.

Memória

Capacidade: 8 GB (1 x 8 GB)

Tipo de memória: DDR5

Velocidade: 5600 MT/s

Classificação PC: PC5-5600B

Latencia CAS: CL46

Organização: 1R x16, Single Rank

Formato: SO-DIMM de 262 pines

Voltagem: 1,1 V

Tipo de módulo: Sem búfer

ECC: Não compatível